Федеральное государственное унитарное предприятие
научно-исследовательский институт физических проблем
им. Ф.В. Лукина

ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина"

Российское агентство по системам управления

124460, Москва, Зеленоград,
проезд 4806, дом 6

Тел.: (095) 531-13-06. Факс: (095) 531-46-56

e-mail: admin@niifp.ru   web: www.niifp.ru

ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" учреждено в 1964 году. На сегодняшний день в его штате 350 сотрудников (среди них 70 имеют ученую степень). В 3-х научно-производственных корпусах института сосредоточено современное технологическое и диагностическое оборудование для проведения разработок в области микро- и наноэлектроники, микроэлектромеханики. Одно из важнейших направлений исследований в институте - создание сверхпроводниковой элементной базы электроники. Разработки по этому направлению ведутся с 1974 года. За четверть века накоплен значительный практический опыт по разработке элементной базы на основе эффекта Джозефсона:

·                 создана технологическая линия, позволяющая оперативно проводить новые разработки сверхпроводни-
ковых  тонкопленочных структур;

·                 отработана технология получения любых типов джозефсоновских переходов.

Крупнейшие достижения института - разработки и исследования цифровых и аналоговых сверхпроводниковых интегральных схем:

·                 элементы сверхбыстродействующих АЦП,

·                 многоканальные магнитометрические и градиентометрические системы,

·                 сверхпроводниковые СВЧ ИС,

·                 ИС эталона напряжения, 

·                 ИС ИК диапазона длин волн.

Наряду с разработкой ИС джозефсоновских схем на низкотемпературных сверхпроводниках, создается задел по формированию тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и схем на их основе.

В настоящее время НИИФП совместно с ЗАО "Компэлст" активизировали работы по дальнейшему развитию сверхпроводниковой технологии и элементной базы на ее основе. Начаты работы по изучению и формированию джозефсоновских переходов типа SINIS, теоретически разработанных М.Ю.Куприяновым (НИИЯФ МГУ). Совместно с МПГУ проводятся работы по созданию приемных NbN элементов терагерцовой области частот на основе эффекта разогрева электронов. По заказу Госстандарта России совместно с ВНИИМ им. Д.И. Менделеева выполнен эскизный проект и изготавливаются тестовые образцы джозефсоновских ИС для решения метрологических задач (создание отечественной элементной базы эталонов электрических величин). В настоящее время координирующую роль по этим работам взял на себя ВНИИМС.

АДМИНИСТРАЦИЯ

Директор института – Алехин Анатолий Павлович, д.т.н.

Тел.: (095) 531-13-06

Факс: (095) 531-46-56

e-mail: admin@niifp.ru

Ученый секретарь - Полторацкий Эдуард Алексеевич, д.ф.-м.н.

Тел.: (095) 531-98-43

ПОдразделение и
ведущие специалисты

Отдел 83

Тел.: (095) 531-25-33

Факс: (095) 531-55-92

e-mail: Gudkov@niifp.ru

Гудков Александр Львович

главный технолог, начальник отдела

Масалов Владимир Васильевич, к.ф.-м.н.

начальник лаборатории

Козлов Анатолий Иванович, к.ф.-м.н.

начальник лаборатории

Самусь Анатолий Николаевич

начальник лаборатории

Гогин Алексей Алексеевич

ведущий инженер

Крюк Владимир Васильевич

ведущий инженер

Шалина Мария Александровна

инженер технолог 1категории

КООПЕРАЦИИ

 

 

 

 

 

 


ФГУП НИИФП
им. Ф.В. Лукина

Физический факультет МГУ

НИИЯФ МГУ

Теоретический анализ свойств джозефсоновских переходов и сверхпроводниковых ИС на их основе; расчет и проектирование сверхпроводниковых ИС.

МПГУ,
Москва

Радиометры ТГц диапазона на основе сверхпроводниковых наноструктур.

ВНИИМС,
Москва

Эталон Вольта на основе цепочек джозефсоновских переходов.

ВНИИФТРИ, Менделеево Московской обл.

Компараторы тока на ПТ-сквидах и цепочки джозефсоновских переходов для эталона Вольта.

ЗАО
"Компэлст"

Системы измерения температуры и

теплая электроника для сверхпроводниковых приборов.

ВАЖНОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
И ДИАГНОСТИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА

Технологическое оборудование для формирования джозефсоновских переходов и сверхпроводящих контактов

Вакуумные установки

Тип, марка

Год приобретения

Функциональные возможности

УВН-75П-1

1976 г.

Нанесение тонких пленок Nb, Mo, Ti, a-Si с предварительной ионной очисткой поверхности пластин.

UTS-500

1981 г.

SCR-650

1991 г.

"Магна"

УРМ 3.279.011

1977 г.

Нанесение SiO2, Al2O3, ZrO2

 

УВН-71 Р-3

1970 г.

Нанесение V, Cu, Al

 

Оборудование для формирования рисунка и химической обработки пластин
(проектные топологические нормы 2 мкм)

Наименование

Тип, марка

Год приобретения

§         Установка для проведения фотолитографических работ

"ЛАДА"
Электроника-125

1985 г.

§         Установки совмещения и экспонирования.

ЭМ-5006

ЭМ-5006А

1988 г.

§         Установка ионно-химического травления

УРМ 3.279.029

1975 г.

§         Установка плазменной обработки пластин

"Плазма 600".

1981 г.

Контрольно-измерительное оборудование:

Наименование

Тип, марка

Год приобретения

§         Оптический микроскоп

NU-2E

1984 г.

§         Автоматический эллипсометр

AutoEL-4

1991 г.

§         электронный микроскоп

STEREO-SCAN360

1991 г.

§         Атомно-силовой микроскоп

SOLVER

2000 г.

§         Измеритель проводимости пленок

ИУС-1

Оборудование для скрайбирования, резки и сборки кристаллов - "Алмаз", ЭМ-225 (год приобретения -
 1977 г.).

Измерительный стенд для межоперационного контроля и электрофизических исследований в технологиионтроль зависимости R(T) и ВАХ – изготовлен в 1985 г.).

Оборудование для проектирования топологии сверхпроводниковых ИС

Тип, марка

Год приобретения

Функциональные возможности

ЭВМ IBM PC (PentiumII)

2001 г.

Иерархическая система проектирования "Pult 3.1"

РЕЗУЛЬТАТЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ЗА ПОСЛЕДНИЕ 5 ЛЕТ

1997 г.

А.Л. Гудков, А.А. Гогин, С.М. Поляков, С.А. Шишкин

Электрофизические свойства и структура тонких эпитаксиальных пленок молибдена и ниобия.

Тезисы докладов. III Международная научно-техническая конференция “Микроэлектроника и информатика” 1997 г. Москва, Зеленоград. с. 51-59, 173

1998 г.

А.Л. Гудков, С.А. Васенко, А.А. Гогин, С.А. Шишкин

Просранственно-селективный метод формирования металлических кластеров.

Тезисы докладов. Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника 98», Звенигород 1998

А.Л. Гудков, В.В. Масалов

Аппаратно-программный комплекс для исследования электрофизических  характеристик туннельно-кластерных наноструктур.

Тезисы докладов. Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника 98», Звенигород, 1998 

2000 г.

А.Л. Гудков, А.А. Гогин, А.М. Евтюшенков

Высокостабильный монокристаллический молибденовый терморезистор в интегральном исполнении.

Тезисы докладов. Всероссийская конференция “Сенсор-2000” с. 239. Санкт-Петербург 21-23 июня
 2000 г.

А.Л. Гудков, А.А. Гогин, А.М. Евтюшенков, А.Н. Самусь, С.И. Уханов

Электрофизические характеристики молибденового термоанемометра

Тезисы докладов. Всероссийская конференция “Сенсор-2000”. Санкт-Петербург 21-23 июня 2000 г.

РАЗРАБОТКИ, ИМЕЮЩИЕ
ПРИКЛАДНОЙ ПОТЕНЦИАЛ

ПРИБОРЫ И УСРОЙСТВА

1. НТСП магнитометрические и градиентометрические ИС на основе
ПТ-сквидов.

§         Разрешение по магнитному полю - 10-12-10-15 Т/Гц1/2

§        Динамический диапазон - 100 - 120 дБ

§        Рабочий ток - 30 - 50 мкА.

Область применения – прецизионные измерительные системы.

Состояние разработок - изготовлены и испытаны НТСП ИС на основе многопетлевых ПТ-сквидов.

2. Многоканальные магнитометрические системы на основе НТСП
ПТ-сквидов.

§         Разрешение по магнитному полю - 10-12-10-15 Т/Гц1/2

§        Динамический диапазон - 100 - 120 дБ

§        Рабочий ток - 30 - 50 мкА.

Область применения – медицина, геология, геофизика, НЧ-связь.

Состояние разработок - проведены лабораторные испытания 3-х канальной магнитометрической системы.

3. ИС цепочек джозефсоновских переходов для стандарта напряжения.

§        Число переходов - до 1000

§        Критический ток - до 500 мкА

§        Рабочая частота - 70 - 90 ГГц.

Область применения – эталоны Вольта.

Состояние разработок - Изготовлены и испытаны ИС с числом переходов до 100.

4. Терморезистивные датчики на основе монокристаллических Mo пленок.

§        Рабочий диапазон - 60 - 450 К

§        Точность градуировки - 0,1 - 0,01 К

§        Воспроизводимость 0,01 К.

Область применения – Термометрические измерительные системы на диапазон температур 60 - 450 К.

Состояние разработок - Изготовлены и испытаны терморезистивные датчики для НПО"Химавтоматика", ВНИИФТРИ.