Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Отделение физики твердого тела

(ОФТТ)
 

ФИАН

Российская академия наук

119991, Москва, Ленинский проспект, 53
Тел.:  (095) 135-74-41, (095) 135-23-20
Факс: (095) 135-78-80
E-mail:
kopaev@sci.lebedev.ru

golov@sci.lebedev.ru

Web: http://www.lpi.ru/


Отделение физики твердого тела ФИАН
создано в 1990 году на базе лаборатории физики полупроводников ФИАН. На сегодняшний день численность отделения - 150 человек; занимаемые производственные площади - 2500м2. В Отделении имеется современное аналитическое и технологическое оборудование: просвечивающий электронный микроскоп высокого разрешения “Филипс” CM-30; инфракрасный фурье-спектрометр “Брукер” IFS-113v; оборудование для электрофизических и спектроскопических измерений в широком диапазоне частот; лазеры различного типа; криомагнитная система для электрических и оптических измерений в магнитных полях до 15Тл; вакуумная установка “Бальцерс”; установки МЛЭ “Катунь” и “ЦНА-25”; дифрактометры “Дрон-3” и “Дрон-3М”. Основные направления деятельности Отделения в области сверхпроводимости -исследование  новых сверхпроводников и сверхпроводниковых структур, разработка устройств на их основе. С Отделением тесно сотрудничают специалисты Криогенного отдела ФИАН.

Администрация и

ведущие специалисты

ФИО

Ученая степень

Должность

Контакт

Копаев Юрий Васильевич

член-корр. РАН

директор ОФТТ

Тел.: .(095) 135-74-41

kopaev@sci.lebedev.ru

Головашкин
Александр Иванович

к.ф.-м.н.

заместитель
директора ОФТТ

заведующий
лабораторией

Тел.: (095) 135-42-85

golov@sci.lebedev.ru

Веденеев
Сергей Иванович

д.ф.-м.н.

заведующий
лабораторией

Тел.: (095) 132-68-81

vedeneev@sci.lebedev.ru

Мурзин
Владимир Николаевич

д.ф.-м.н.

заведующий
лабораторией

Тел.: (095) 132-67-44

murzin@sci.lebedev.ru 

Цебро
Виктор Иванович

к.ф.-м.н.

заведующий
лабораторией

Тел.: (095)132-21-54

tsebro@sci.lebedev.ru

Калюжная
Галина Александровна

к.х.н.

ведущий научный
сотрудник

Тел.: (095)135-79-43

Капаев
Владимир Васильевич

д.ф.-м.н.

ведущий научный
сотрудник

Тел.: (095)132-05-38

kapaev@sci.lebedev.ru

Лыков

Александр Николаевич

д.ф.-м.н.

ведущий научный
сотрудник

Тел.: (095)132-67-67

lykov@sci.lebedev.ru

Митягин Юрий Алексеевич

к.ф.-м.н.

ведущий научный
сотрудник

Тел.: (095)132-69-52

mityagin@sci.lebedev.ru

Мицен
Кирилл Владимирович

к.ф.-м.н.

ведущий научный
сотрудник

Тел.: (095)132-63-02

mitsen@sci.lebedev.ru

Печень
Евгений Владимирович

к.ф.-м.н.

ведущий научный
сотрудник

Тел.: (095)132-67-69

pechen@sci.lebedev.ru

Жерихина
Лариса Николаевна

к.ф.-м.н.

с.н.с

Тел.: (095)132-64-95

Иваненко Ольга Михайловна

к.ф.-м.н.

с.н.с

Тел.: (095)132-63-02

ivanenko@sci.lebedev.ru

Карузский
Александр Львович

к.ф.-м.н.

с.н.с

Тел.: (095)132-64-93

karuz@sci.lebedev.ru

Красносвободцев

Сергей Иванович

 

с.н.с

Тел.: (095)132-66-73

krasn@sci.lebedev.ru

Омельяновский
Олег Евгеньевич

к.ф.-м.н.

с.н.с

Тел.: (095)132-62-51

Шабанова
Наталия Павловна

к.ф.-м.н.

с.н.с

Тел.: (095)132-67-69

shaban@sci.lebedev.ru

Варлашкин
Андрей Валериевич

к.ф.-м.н.

научный
сотрудник

Тел.: (095)132-67-69

varlash@sci.lebedev.ru

Пашкин
Юрий Александрович

к.ф.-м.н.

научный
сотрудник

Тел.: (095)132-61-33

kowas@sci.lebedev.ru

Кооперации

ОФТТ ФИАН

 

 

 

МИЭТ
(Зеленоград)

Разработка нового типа микроволнового генератора, основанного на комбинированном использовании в одном микроустройстве резонансно-туннельного полупроводникового диода из квантовых ям и микрополоскового резонатора, в том числе со сверхпроводящими отражающими покрытиями.

Исследование физических свойств сверхпроводников с большим суммарным импульсом пары.

Воронежский педагогический университет

Разработка теоретических моделей сверхпроводимости на основе спаривания за счет отталкивательного взаимодействия.

МИСиС
(Москва)

Исследование аномальных свойств высокотемпературных сверхпроводников и их связи с электронной структурой.

Результаты научных
исследований за 1999-2002гг.

1. Разработана технология и изготовлен одноэлектронный Al транзистор, работающий в широком интервале температур от гелиевых до комнатной. Развитая технология мало углового испарения алюминия через маску позволила получить центральный островок транзистора с размером менее 10 нм. Зарядово-эквивалентный шум прибора при комнатной температуре (300К) составляет 4·10-2е/ на частоте 1Гц.
    1.
 Yu.A.Pashkin, Y.Nakamura, J.-Sh.Tsai. Metallic resistively coupled single-electron transistor. Applied Physics Letters
        74 132 (1999).
    2. Yu.A.Pashkin, Y.Nakamura, J.-Sh.Tsai. Implementation of single-electron transistor with resistive gate. Japan J. Appl. 
        Phys. 38, 406 (1999).
    3. Yu.A.Pashkin, Y.Nakamura, J.-Sh.Tsai. Coulomb blockade in resistively coupled single-electron transistor:
        Dependence  on bias conditions. Japan J. Appl. Phys. 38, 2466 (1999).
    4. Yu.Pashkin, Y.Nakamura, J.S.Tsai. Room-temperature Al single-electron transistor made by electron-beam
        lithography. Appl. Phys. Lett. 76, 2256 (2000).


2. Экспериментально реализована регистрация состояния зарядового квантового бита (кубита) с помощью радиочастотного одноэлектронного транзистора. Электронный контроль в одно-кубитовом твердотельном приборе осуществлялся с помощью субмикронного электронного устройства (островка) с одной куперовской парой. Число электронов на островке (~108) квантуется и образует единое макроскопическое квантовое состояние, соответствующее избыточному числу электронов помещенных на островок. С помощью сверхпроводящих электродов два соседних состояния связывались когерентно, образуя искусственную двухуровневую систему. При присоединении к островку дополнительного туннельного зонда удавалось контролировать вероятность одного из двух состояний. Прикладывая к затвору импульс с крутым фронтом, удалось создать на островке вырожденное зарядовое состояние, вынуждая два соседних состояния испытывать квантовые осцилляции. Экспериментально наблюдали квантовые когерентные осцилляции заряда в течение длительного времени, на несколько порядков превышающего время элементарной операции. Тем самым впервые экспериментально продемонстрировано сохранение квантовой когерентности в таком приборе в течение времени, достаточного для проведения специальных расчетов.
    1.
 Y.Nakamura, Yu.Pashkin, J.Tsai. Nature, 1999, 398, p.786
    2. Y.Nakamura, Yu.A.Pashkin, J.S.Tsai. Quantum coherence in a single-Cooper-pair box: experiments in the frequency
        and time domains. Physica B, 2000, 280, p. 405

    3.
 Yu.A.Pashkin, J.S.Tsai, Y.Nakamura. Superconducting single-Cooper-pair box as quantum bit. Physica C, 2001,
         357-360, p. 1
    4. Yu.A.Pashkin, J.S.Tsai, Y.Nakamura. Rabi Oscillations in a Josephson-Junction Charge Two-Level System. Phys.
         Rev. Lett., 2001, 87, p. 246601


3. В спектрах ЭПР висмутовых систем BaKBiO и BaPbBiO помимо линий с факторами g2,1 и g4,2 обнаружены аномальные ЭПР линии с промежуточным фактором g3, которые наблюдаются лишь на качественных образцах. Найдено, что величина промежуточного g-фактора меняется с температурой и зависит от уровня легирования. Появление таких аномальных ЭПР-линий связывается со специфическими локальными искажениями кристаллической решетки около нарушений в системе упорядоченных ковалентных связей Bi-O (волн зарядовой плотности). Сильная дефектность образца размывает картину и приводит к ненаблюдаемости таких линий. Результаты свидетельствуют о существовании в этих системах кислородных ионов с различным эффективным зарядом (волна зарядовой плотности в кислородной подрешетке).
    1.
 А.Ю.Якубовский, С.В.Гуденко, Н.В.Аншукова, А.И.Головашкин, Л.И.Иванова, А.П.Русаков. Наблюдение
        аномальных триплетных состояний в системах Ba1-xKxBiO3 и BaPbyBi1-yO3 методом ЭПР. ЖЭТФ
, 1999,
        115,
p.1326
    2.
 A.I.Golovashkin, A.Yakubovskii, S.Gudenko, A.P.Rusakov. EPR observation of anomalous triplet states in
        Ba1-xKxBiO3 and BaPbyBi1-yO3 systems. Physica C, 1999 317-318, p. 432
   
3. А.И.Головашкин, С.В.Гуденко, А.П.Русаков, А.Ю.Якубовский. Наблюдение аномальных ЭПР линий в
        
BaKBiO и BaPbBiO системах. Краткие сообщения по физике (КСФ), Москва, ФИАН, 2000, №2, c. 34-37
    4.
 A.I.Golovashkin, S.V.Gudenko, A.P.Rusakov, A.Yu.Yakubovsky. Observation of Anomalous EPR Lines
        with Intermediate g-Factor in BaKBiO and BaPbBiO Systems. In “Physics in Local Lattice Distortions”,
        eds. H.Oyanagi and A.Bianconi, AIP, 2001, p. 300


4. Обнаружен эффект сильного влияния магнитного поля на аномалию теплового расширения при низких температурах в висмутовых системах BaKBiO и BaPbBiO и в купратном ВТСП LaSrCuO. Результаты указывают на общность ряда аномалий в купратных и висмутатных ВТСП. Эффект объяснен наличием сверхструктурного упорядочения в кислородной подрешетке обоих классов ВТСП (волна зарядовой плотности в кислородной подрешетке) и подавлением его магнитным полем (эффект влияния магнитного поля на амплитуду ВЗП).
    1.
 Н.В.Аншукова, А.И.Головашкин, Л.И.Иванова, И.Б.Крынецкий, А.П.Русаков. Влияние магнитного поля
        на  аномалии теплового расширения
BaKBiO, BaPbBiO и LaSrCuO. КСФ, 1999, №8, c. 30
    2.
 Н.В.Аншукова, А.И.Головашкин, Л.И.Иванова, И.Б.Крынецкий, А.П.Русаков. Аномальное влияние
        магнитного поля на тепловое расширение Ва1-хКхВ
iO3, BaPbхBi1-хO3 и La2-хSrхCuO4 при низких
        температурах. Письма в ЖЭТФ, 2000, 71, c. 550

    3.
 A.I.Golovashkin, N.V.Anshukova, L.I.Ivanova, I.B.Krinetskii, A.P.Rusakov. Strong influence of magnetic field on the
        thermal expansion anomaly in La2
-xSrxCuO4 and Ba1-xKxBiO3 systems. Physica C, 2000, 341-348, p.1945


5. Предложена модель электронной структуры высокотемпературного сверхпроводника, согласно которой механизмом, ответственным за многие аномальные свойства этих соединений (включая высокотемпературную сверхпроводимость), является взаимодействие электронов с так называемыми отрицательными U-центрами. Предложенная модель хорошо описывает результаты различных экспериментов.
    1.
 K.V. Mitsen, O.M. Ivanenko. Local structure, percolation and insulator-conductor transition in doped HTS. Physica C,
       
2000, 341-348, p. 1849

    2.
 К.В. Мицен, О.М. Иваненко. U-центры, перколяция и переход диэлектрик-металл в ВТСП. ЖЭТФ, 2000,
        118,
c. 666


6. Разработана теория гиперболического спаривания при отталкивательном взаимодействии в качестве механизма высокотемпературной сверхпроводимости. Теория объясняет основные особенности поведения этого класса сверхпроводников. Сосуществование наряду со сверхпроводящим конденсатом решения для квазистационарных состояний изолированных пар объясняет наблюдаемую в этих сверхпроводниках псевдощель. Исчезновение выигрыша в энергии конденсации с ростом отталкивательного взаимодействия и соответствующий рост сверхпроводящей щели приводит к большой величине отношения щели к критической температуре фазового перехода и к существенному проявлению квантовых флуктуаций, что является характерным для этого класса сверхпроводников.
    1.
 В.И.Белявский, Ю.В.Копаев. Парный контур Ферми и высокотемпературная сверхпроводимость. ЖЭТФ,
        2002, 121,
c. 175


7. Разработана методика получения сверхпроводящих эпитаксиальных пленок NdCeCuO и SmCeCuO. На этих пленках выполнен комплекс физических исследований.

В низкотемпературных спектрах пропускания NdCeCuO в субмиллиметровом частотном диапазоне обнаружены новые резонансные особенности, связанные с плазменной частотой вдоль оси «с» и смешанным возбуждением плоскость «ab»/ось «с». Частота резонанса может контролируемо изменяться вращением плоскости поляризации падающего излучения.

Обнаружено, что зависимости верхнего критического магнитного поля от приведенной температуры совпадают для обоих сверхпроводников. Результаты показывают, что основные электронные характеристики этой группы сверхпроводников не меняются при замене одного редкоземельного элемента другим.

Найдено, что облучение энергичными ионами гелия влияет на верхнее критическое поле этих соединений аналогично изменению их кислородного состава (такая же аналогия наблюдалась для пленок YBaCuO).
    1.
 A.Pimenov, A.V.Pronin, A.Loidl, A.P.Kampf, S.I.Krasnosvobodtsev, V.S.Nozdrin. Submillimeter spectroscopy of
        tilted Nd1.85Ce0.15CuO4-
d films: Observation of a mixed ac-plan excitation. Appl. Phys. Lett., 2000, 77, p. 429
    2.
 V.S.Nozdrin, S.I.Krasnosvobodtsev, N.P.Shabanova, V.A.Dravin, A.I.Golovashkin. Upper critical magnetic field of
         ion-irradiated YBaCuO and NdCeCuO films. Physica C, 2000, 341-348, p. 1909


8. Выполнены исследования изменений электронных характеристик эпитаксиальных ВТСП пленок, подвергнутых ионному облучению. Для пленок YBaCuO, HoBaCuO, NdCeCuO и SmCeCuO, на основе измерений температурных зависимостей сопротивления и верхнего критического магнитного поля Hc2, получены данные об изменении длины свободного пробега электронов проводимости и электронных характеристик при увеличении концентрации радиационных дефектов. Показано, что характер изменения свойств таких ВТСП пленок при ионном облучении объясняется d-волновой симметрией их параметра порядка.
    1.
 С.И.Красносвободцев, Н.П.Шабанова, В.С.Ноздрин, А.И.Головашкин. Единая аномалия верхнего
        критического магнитного поля
YBaCuO, HoBaCuO и NdCeCuO, облученных ионами гелия.
        ФТТ, 1999, 41,
c. 1372
    2.
 Н.П.Шабанова, С.И.Красносвободцев, А.В.Варлашкин, А.И.Головашкин. Влияние ионного облучения на
        верхнее критическое магнитное поле электронных и дырочных d-волновых сверхпроводников.
        ФТТ (2002).


9. Развит метод  получения высокотемпературных сверхпроводниковых монокристаллов
Bi
2Sr2Can-1CunOz
(n=1,2,3). На этих монокристаллах выполнен комплекс физических измерений.

Впервые измерена теплопроводность К(Т) в монокристаллах Bi2201 в широкой области температур T, вплоть до 0.1 К. В нулевом магнитном поле при T<<Тс обнаружена линейная зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, что указывает на значительный вклад в теплопроводность квазичастиц с энергией меньше величины сверхпроводящей щели. В нормальном состоянии, когда сверхпроводимость подавлена магнитным полем, найдено, что линейный член в К(Т), соответствующий электронной теплопроводности, очень близок к величине, следующей из закона Видемана-Франца. Данные свидетельствуют в пользу обычного Ферми-жидкостного подхода к транспорту носителей в Bi2201.

В постоянных магнитных полях до 28 Тл изучена температурная зависимость сопротивления rс(Т) вдоль оси «с» в высококачественных недопированных монокристаллах Bi2201 с Тс=9 К, Bi2212 с Тс=83 К и Bi2223 с Тс=110 К, выращенных одинаковым методом. Для всех соединений в области температур, где rс(Т) в нулевом поле имеет полупроводниковый характер, межслоевое магнетосопротивление отрицательно, изотропно и соответствует подавлению полупроводниковой зависимости rс(Т) магнитным полем. Для соединения Bi2201, в котором нормальное состояние при низких температурах могло быть достигнуто в доступных полях (28 Тл), полупроводниковый характер температурной зависимости rс(Т) подавлялся почти полностью, межслоевое сопротивление rс вплоть до Т=0.4 К не зависело от температуры и кристаллы показывали металлическую проводимость в поперечном направлении. Эти результаты дают основание предположить, что анизотропию транспортных свойств ВТСП можно описать на языке некогерентного туннелирования носителей между сверхпроводящими слоями CuO2.

Показано, что наблюдаемое в ВТСП при T>Tс отрицательное магнетосопротивление вдоль оси «с» связано с подавлением псевдощели магнитным полем и не зависит от направления магнитного поля относительно направления тока.
    1.
 Н.Н.Сентюрина, Ю.И.Горина, Г.А.Калюжная. Заявка на изобретение № 2001105491 «Способ получения
        высокотемпературных сверхпроводниковых соединений» с приоритетом от 1.03.01.

    2.
 S.I.Vedeneev, A.G.M.Jansen, P.Wyder. Magnetotransport and magnetotunneling in single-layer, two-layer and
        three-layer Bi2Sr2Can-1CunOz (n=1,2,3) single crystals. Physica B, 2001, 300, p. 38

    3.
 S.I.Vedeneev, V.A.Stepanov. Superconducting energy gap in Bi2Sr2Ca2Cu3O10 (Bi2223) single crystals. Письма в
        ЖЭТФ, 2001, 73,
c. 159
    4.
 S.I.Vedeneev, P.Szabo, A.G.M. Jansen, I.S.Vedeneev. Tunneling in single-layer Bi2Sr2CuO6 single crystals in high
      
 magnetic field. ЖЭТФ, 2001, 119, c. 979


10. Показано, что температурная зависимость верхнего критического магнитного поля Hc2(T) в совершенных монокристаллах Bi2201 при оптимальном легировании вплоть до температур Т/Tc=0.3 хорошо описывается обычной теорией для простых сверхпроводников II рода, основанной на феноменологии Гинзбурга-Ландау. Небольшое отклонение наблюдается лишь в области температур 0.4-1 K. Эти результаты, хотя и противоречат ранее опубликованным работам с аномальной зависимостью Hc2(T), сейчас подтверждены другими авторами на кристаллах других основных ВТСП в полях до 60Тл.
    1.
 S.I.Vedeneev, A.G.M.Jansen, E.Haanappel, P.Wyder. Temperature dependence of the upper critical field of
        Bi2Sr2CuOx single crystals. Phys. Rev. B, 1999,60, p. 12467
    2.
 S.I.Vedeneev, A.G.M.Jansen. High-magnetic-field transport properties of Bi2Sr2CuOx single crystals. ЖЭТФ (2002).

    3.
 
S.I.Vedeneev, Yu.N.Ovchinnikov. Angular dependence of the upper critical field in Bi2Sr2CuO6. Письма в ЖЭТФ,
        2002, 75,
c
. 228


11. При высоких (комнатных) температурах в многосвязных углеродных нанотрубных структурах обнаружен бездиссипативный электронный транспорт по индуцированию в них незатухающих токов и захвату магнитного потока. Показано, что захват потока происходит точно так же, как в многосвязном нитевидном сверхпроводнике (т.н. «губке Мендельсона»–многосвязной системе тонких нитей сверхпроводника в нормальной матрице). Возникает вопрос о возможности сверхпроводимости такой структуры при очень высоких (выше комнатной) температурах. Однако, сверхпроводимость,– в обычном понимании этого явления (образование бозе-конденсата куперовских пар ниже точки перехода), – не единственное объяснение обнаруженного эффекта. Возможно, что в данном случае следует говорить о первом экспериментальном наблюдении незатухающих токов (т.н. «persistent currents»), циркулирующих по замкнутым мезоскопическим путям такой многосвязной нанотрубной структуры.
    1.
 В.И.Цебро, О.Е.Омельяновский. Незатухающие токи и захват магнитного потока в многосвязной
        углеродной нанотрубной структуре. УФН, 2000, 170,
c. 906


12. Выполнен комплекс исследований нового высокотемпературного сверхпроводника MgB2.

Обнаружено аномальное поведение теплового расширения MgB2 при низких температурах (7-11 К). Обнаружен эффект сильного влияния магнитного поля на аномалию теплового расширения MgB2 . Аналогичные эффекты ранее наблюдались в оксидных ВТСП. Полученные результаты указывают на общность аномальных свойств MgB2 и оксидных ВТСП систем.

По измерениям температурной зависимости теплоемкости MgB2 в области низких температур (5-45 К) обнаружено наличие двух сверхпроводящих щелей, соответствующих температурам Т39 К и Т10-12 К. 

Обнаружено аномальное поведение температурной зависимости теплопроводности MgB2 в области температур Т10-12 К, подтверждающее наличии второй сверхпроводящей щели.

Синтезированы сверхпроводящие пленки MgB2 и исследованы их свойства в субмиллиметровом и микроволновом частотных диапазонах. Определены энергетическая щель и глубина проникновения магнитного поля.
    1.
 Н.В.Аншукова, Б.М.Булычев, А.И.Головашкин, Л.И.Иванова, И.Б.Крынецкий, А.П.Русаков. Влияние
        магнитного поля на аномалию теплового расширения MgB2 при низких температурах. КСФ
, 2001, №7,
       
c.16
    2
. V.Pronin, A.Pimenov, A.Loidl, S.I.Krasnosvobodtsev. Optical conductivity and penetration depth in MgB2. Сond-
        mat/0104291.

    3
. N.Klein, B.B.Jin, J.Schubert, M.Schuster, H.R.Yi, A.Pimenov, A.Loidl, S.I.Krasnosvobodtsev. Energy gap and
        London penetration depth of MgB2 determined by microwave resonator measurements.
Сond-mat/0107259.
    4.
 Н.В.Аншукова, Б.М.Булычев, А.И.Головашкин, Л.И.Иванова, А.А.Минаков, А.П.Русаков. Температурные
        зависимости теплоемкости и теплопроводности MgB2 при низких температурах. КСФ, 2002, №4,
c. 24


13. Обнаружена генерация когерентного электромагнитного излучения сверхпроводящими пленками, вызванная синхронизацией «прыжков» вихрей Абрикосова. Генерация наблюдалась в диапазоне частот 1-500 МГц на пленках Nb при гелиевых температурах и в диапазоне 1-10 МГц на ВТСП пленках GdBaCuO при азотных температурах. Синхронизация осуществлялась за счет обратной связи «прыжков» абрикосовских вихрей, создаваемых внешним низкочастотным магнитным полем.
    1.
 A.N.Lykov. Stimulated emission of the coherent electromagnetic radiation by superconducting films. Physica C, 2001,
        367, p. 327

    2.
 А.Н.Лыков. Генерация когерентного электромагнитного излучения сверхпроводящими пленками при
        азотных температурах. Письма в ЖЭТФ, 2001, 73,
c. 618
    3.
 A.N.Lykov. Stimulated emission of the coherent electromagnetic radiation by superconducting film. Physics Letters A,
       
2001, 281, c. 48


14. Обнаружено сверхструктурное упорядочение (волна зарядовой плотности) в подрешетке ионов кислорода оксидных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП).

На основе анализа полученных ранее наших экспериментальных результантов по тепловому расширению, ЭПР, температурной зависимости фононных спектров, оптическим свойствам, а также литературных данных по фотоэмиссии, исследованию поверхности Ферми оксидных ВТСП систем сделан вывод о существовании сверхструктурного упорядочения (волны зарядовой плотности) в их кислородной подрешетке. Такая волна, возникающая в плоскостях CuO2 (в дополнение к волне спиновой плотности в подрешетке ионов меди), является причиной ряда аномалий свойств, наблюдаемых в оксидных ВТСП системах. В 1999г. сверхструктурное упорядочение в подрешетке кислорода было обнаружено экспериментально в ВТСП системах La2-xSrxCuO4 и YBa2Cu3O7-x американскими исследователями методом неупругого рассеяния нейтронов.

Развита физическая модель «упорядоченных ковалентных связей», на основе которой предложено объяснение новых экспериментальных данных по решеточной и спиновой модуляции в оксидных ВТСП, по влиянию легирования на процессы сверхструктурного упорядочения в ВТСП и форму их поверхности Ферми.
    1.
 A.I.Golovashkin, N.V.Anshukova, L.I.Ivanova, A.P.Rusakov. Superstructural ordering and phase transitions in oxide
        HTSC. Physica C, 1999, 317-318, p. 630

    2.
 Н.В.Аншукова, А.И.Головашкин, Л.И.Иванова, А.П.Русаков. Влияние легирования на сверхструктурное
        упорядочение и модуляцию электронной плотности в оксидных ВТСП. КСФ, 2001, №8,
c. 12


15. Обнаружен парамагнитный эффект Мейснера в ВТСП монокристаллах BaKBiO. В отличие от других ВТСП, где также обнаруживается этот эффект, в BaKBiO он наблюдается до относительно высоких значений магнитного поля. Эффект в BaKBiO связывается с моделью пространственно-неоднородного состояния сверхпроводника, предложенной ранее Ю.В.Копаевым с сотрудниками. Результат важен потому, что в BaKBiO отсутствуют так называемые p-джозефсоновские контакты, которые считаются ответственными за этот эффект в других ВТСП.

    1.  A.I.Golovashkin, A.V.Gudenko, M.L.Norton, A.M.Tskhovrebov, L.N.Zherikhina. The anomalous magnetic
         properties of high-Tc Ba-K-Bi-O in superconducting state. Physica B, 2000, 284-288, p. 779
 

разработки, имеющие
прикладной потенциал

Лаборатория неравновесныхи нелинейных явлений в твердых телах

Высокодобротный сверхпроводящий микрополосковый СВЧ резонатор:

Диапазон резонансных частот 1 - 140ГГц

Нагруженная добротность Q=100000 на частоте 10ГГц

Область применения:

    1.      Сотовая телефонная связь

    2.      Транспортная электроника

    3.      Всепогодное радиовидение

    4.      Навигация

    5.      Космическая связь

    6.      Компьютерные сети

    7.      Телевидение

Разработаны и испытаны ВТСП и НТСП прототипы. Может быть организовано производство и поставка образцов по заказам.

Защитные диэлектрические покрытия на основе алмазоподобного углерода для микроэлектронных устройств из ВТСП

Необходимый конструктивный элемент ВТСП цифровых и аналоговых устройств

Разработанная технология может быть передана по договору.

Лаборатория сверхпроводимости

ВТСП и НТСП пленки и двусторонние покрытия, многослойные структуры на основе ВТСП, НТСП, ZrO2, CeO2, Y2O3, Au на различных подложках

Область применения:

    1.      Сверхпроводниковая микроэлектроника

    2.      Радиоастрономия

    3.      Ограничители тока

    4.      Приемники

    5.      Смесители

    6.      Селективные устройства ИК диапазона

Изготовление и поставка по заказам.

Потенциальный рынок продукции

Высокодобротные сверхпроводящие микрополосковые СВЧ резонаторы в интеграции с твердотельными микроустройствами, согласно литературным данным и выполненным оценкам, могут найти растущий спрос как элементная база современной микроэлектроники. Защитные диэлектрические покрытия на основе алмазоподобного углерода являются необходимым конструктивным элементом микроэлектронных ВТСП устройств, в том числе сверхпроводниковых цифровых и аналоговых схем и сквидов.