Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Химический факультет

119892 Москва,
Ленинские горы, МГУ, химфак,
кафедра неорганической химии
Тел.: (095) 939-20-74;
Факс: (095) 939-09-98
yudt@inorg.chem.msu.ru
metlin@inorg.chem.msu.ru
kaul@inorg.chem.msu.ru
antipov@icr.chem.msu.ru
www.inorg.chem.msu.ru

Химический факультет МГУ разрабатывает и систематически исследует новые перспективные твердофазные материалы со специальными свойствами (ферриты, сегнетоэлектрики, твердые электролиты и электродные материалы, сверхпроводники), а также технологии их получения. Исследования высокотемпературных сверхпроводников ведутся на химфаке МГУ с 1987 г. За это время разработаны:

  • методы направленного синтеза и кристаллохимической диагностики новых соединений с ВТСП свойствами,
  • методы химического транспорта для получения сверхпроводящих пленок,
  • научные основы технологии керамики с высокими значениями критических токов.

Сотрудники факультета Е.В. Антипов и С.Н. Путилин открыли новое поколение ртутьсодержащих ВТСП. Большим успехом пользуется у отечественных и зарубежных уче-ных ставший уже традиционным Международный семинар по химии и технологии ВТСП материалов (MSU-HTSC).

На химическом факультете в исследования по химии и технологии высокотемпературных сверхпроводников вовлечены 50 научных сотрудников и преподавателей. Площадь научно-исследовательских лабораторий 450м2.

АДМИНИСТРАЦИЯ И ВЕДУЩИЕ СПЕЦИАЛИСТЫ

Третьяков Юрий Дмитриевич, академик РАН, заведующий кафедрой
Тел.: (095) 939-20-74

Кауль Андрей Рафаилович, д.х.н., профессор, заведующий лабораторией
Тел.: (095) 939-14-92

Антипов Евгений Викторович, д.х.н., профессор, заведующий лабораторией
Тел.: (095) 939-33-75

Олейников Николай Николаевич, член.-корр. РАН, д.х.н., профессор
Тел.: (095) 939-47-29

Воронин Геннадий Федорович, д.х.н., профессор, заведующий лабораторией
Тел.: (095) 939-12-05

Метлин Юрий Глебович, к.х.н., с.н.с.
Тел.: (095) 939-24-69

Путилин Сергей Николаевич, к.х.н., с.н.с.
Тел.: (095) 939-33-75

Гудилин Евгений Алексеевич, к.х.н., с.н.с.
Тел.: (095) 939-47-29

Горбенко Олег Юрьевич, к.х.н., с.н.с.
Тел.: (095) 939-14-92

КООПЕРАЦИИ

MGUchem.jpg (58063 bytes)

ВАЖНОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И ДИАГНОСТИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА

Оригинальные установки для получения пленок методом химического осаждения из газовой фазы (метод MOCVD).

Аппаратура для низкотемпературных резисто- и магнитометрии, а также для высокотемпературных резистивных измерений в газовых средах с различным парциальным давлением кислорода.

Год приобретения
1980 г.       Дериватографы Q-1500D и OD-102
1990 г.       Сублиматоры SMH-15 ("Usifroid", Франция)
                    Распылительная сушилка - Buchi 190 (Швейцария)

Лабораторное оборудование для диспергирования, смешения и установка для дисперсионного анализа:

1980 г.         MOM (Венгрия)
1990 г.         Fritsch (Германия)

Установки для рентгеновского анализа:

1991 г.        автоматический порошковый дифрактометр STADI-P (Германия)
1994 г.        монокристальный дифрактометр CAD-4 (Германия)
1986 г.        2 рентгеновских дифрактометра ДРОН-3М (Россия)

Электронные микроскопы:

1987 г.        просвечивающий JEM 2000 FX2 (Япония)
1990 г.        растровый РЭМ 100У.2 (Украина)
2001 г.        с рентгенолокальным анализатором PJT-IMIX JEOL JSM 840A (Япония)

РЕЗУЛЬТАТЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ЗА ПОСЛЕДНИЕ 5 ЛЕТ

Авторы: О.Ю. Горбенко, А.Р. Кауль, О. Штадель
Разработка технологии MOCVD для получения тонкопленочного буферного слоя LaMnO3 с высокой текстурой на текстурированной никелевой ленте для последующего осаждения на нем Y123 слоя (технология RABITs получения длинномерных токонесущих изделий).
- Материалы конференции EUROCVD-2003

Авторы: Е.А. Гудилин, Е.С. Рэдди, Г.Дж. Шмитц
Разработка новых принципов получения и двуосного текстурирования толстых пленок ВТСП
E.A.Goodilin et al. J.Cryst.Growth, 2002, 241, pp.512-534.

Авторы: Е.А.Гудилин, Н.Н.Олейников, Ю.Д.Третьяков, Ю.Шиохара
Исследование фазовых диаграмм ВТСП R-Ba-Cu-O (R=Nd,Pr,Sm,Eu), структуры и типов катионного и анионного упорядочения в твердых растворах на основе РЗЭ-бариевых купратов, построение ТТТ-диаграмм катионного упорядочения в фазе Nd123, рост монокристаллов ВТСП и монокристаллических подложек из фазы Nd213.
- Y.Shiohara, E.A.Goodilin, Single crystal growth for science and technology, Chapter 189, 30, in: Handbook on the Physics and Chemistry of Rare-Earths (special volumes on High Temperature Rare Earth Superconductors, Еditors K.A.Gschneidner,Jr., L.Eyring, M.B.Maple, Elsevier Science), 2000, pp.67-221
- Ю.Д.Третьяков, Е.А.Гудилин, ЖНХ, 2001, 46, доп.3, с.S203-S234.

Авторы: П.Е. Казин, В.И. Путляев, А.В. Кнотько
Разработка химических методов создания эффективных центров пиннинга в висмутсодержащих ВТСП
- П.Е.Казин и др. Неорганические материалы, 2001, 37, c. 1183-1187
- П.Е.Казин и др. Доклады РАН. 2000, 370, стр. 767-769
- А.В.Кнотько и др. Материаловедение. 2000, N 1, стр. 42 - 48

Авторы: С.О. Климонский
Получение тонких пленок ртутных ВТСП
- S.O.Klimonsky et al. MRS Proceedings, 659, High-Temperature Superconductors-Crystal Chemistry, Processing and Properties, 2001.

РАЗРАБОТКИ, ИМЕЮЩИЕ ПРИКЛАДНОЙ ПОТЕНЦИАЛ МАТЕРИАЛЫ И ИЗДЕЛИЯ

1. Иттрийсодержащие ВТСП-порошки (123,124, 247)

2. ВТСП-порошки - РЗЭ аналоги фазы YBa2Cu3Oz (РЗЭ=La, Pr, Nd, Sm, Eu)

3. Композиционные ВТСП-порошки состава YBa2Cu3Oz+x Y2BaCuO5 (0 < x < 0.4)

4. Висмутсодержащие ВТСП-порошки состава 2212 и 2223

5. Порошки (прекурсоры) для синтеза ртутьсодержащих ВТСП

Параметры (1-5:)
Размер частиц - 50-70нм
Размер агрегатов - 1-10мкм
Удельная поверхность - 5-30м2

Область применения- производство керамических и длинномерных ВТСП изделий.

Возможный объем производства: от десяти до сотен граммов в месяц.

6. Летучие компоненты для CVD технологии (высокочистые вещества в виде сублимированных порошков) - широкая номенклатура металлов и хелатирующих лигандов.

Параметры - высокая летучесть.

Область применения - производство тонких ВТСП-пленок и буферных подслоев, в том числе в технологии RABITS.

7. Эпитаксиальные пленки фаз RBa2Cu3O7-x с различными редкоземельными элементами на монокристаллических оксидных подложках, включая сапфир

8. Эпитаксиальные подслои СеО2, ZrО2 (Y2O3), СеО2/ZrО2 (Y2O3) на сапфире

Параметры (7,8):
Геометрические размеры: 1·1 см2
Толщина 0.01-0.35 мкм
Тс=91-86 К (в зависимости от R)
(DELTA)Тс=1.5 К
Jc > 106А/см2 Ориентация (001)
Шероховатость ± 1

Возможный объем производства до 100 штук в месяц.

9. Эпитаксиальные пленки манганитов с эффектом колоссального магнитосопротивления, совместимые с ВТСП-фазами

Размер - 1·1 см2
Толщина 0.01-0.30 мм
Тс - в зависимости от состава
Ориентация возможна различная (типичная - (001))