Московский педагогический государственный университет

МПГУ
Учебно-научный радиофизический центр Министерство образования РФ

119992, Москва, ГСП,
М. Пироговская ул.,
29 Тел.: (095) 246-12-02
Факс: (095) 246-63-21
E-mail: goltsman00@mail.ru

Учебно-научный радиофизический центр
(УНРЦ) МПГУ был создан в январе 2001 г. в соответствии с приказом ректора на базе научно-исследовательской радиофизической
лаборатории и лабораторий учебного практикума кафедры общей и экспериментальной физики. Радиофизическая лаборатория
МПГУ была учреждена в 1959 году. На сегодняшний день в ее штате 49 человек (в том числе 3 доктора наук,14 кандидатов наук,
1 профессор, 2 старших научных сотрудника, 3 доцента, 18 инженеров). Общая производственная площадь-1000м2.

Исследования в области сверхпроводимости были начаты в лаборатории в 1978 году. За прошедшие годы лаборатория
оснащена уникальным измерительным и технологическим оборудованием, ориентированным на технологию и исследования
тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктур. Среди них - 4 напылительных установки, установки совмещения и
ионного травления, система очистки воды, источники и приемники терагерцового излучения, спектрометры, лазеры, десятки
радиоизмерительных приборов, парк из 20 компьютеров. Имеется станция ожижения гелия, различные криостаты и
сверхпроводящие магниты.

Основные направления деятельности - сверхпроводниковая электроника, приемные устройства субмиллиметрового и ИК
диапазонов волн, терагерцовая техника, физические исследования.

Учебно-научный радиофизический центр

АДМИНИСТРАЦИЯ

 ФИО  Научное звание  Должность  Контакты
 Гольцман Григорий Наумович  Профессор  Научный руководитель  (095) 246-12 02, goltsman00@mail.ru
 Дзарданов Андрей Лазаревич  Старший научный сотрудник  Директор  (095) 246-88-99

ВЕДУЩИЕ СПЕЦИАЛИСТЫ

Тел. (095) 296 4602

 ФИО  Должность  Контакты;
 Семенов Алексей Дмитриевич  Профессор Alexei.Semenov@dlr.de
 Сергеев Андрей Васильевич  Ведущий научный сотрудник  sergeev@nida.eng.wayne.edu
 Веревкин Александр Андреевич  Ведущий научный сотрудник  verevkin@ece.rochester.edu
 Ильин Константин Сергеевич  Научный сотрудник  kilin@fz-juelich.de
 Ягубов ПавелАнатольевич  Научный сотрудник  p.a.yagoubov@sron.rug.nl
 Чередниченко Сергей Иванович  Научный сотрудник  serguei@ep.chalmers.se
 Милостная Ирина Ивановна  Научный сотрудник  mil@ect.utoronto.ca
 Свечников Сергей Игоревич  Научный сотрудник  
 Липатов Андрей Петрович  Доцент  
 Смирнов Константин     Владимирович  Научный сотрудник  (095) 246-88-99
 Елантьев Андрей Иванович  Доцент  
 Окунев Олег Валерьевич  Научный сотрудник  
 Куминов Павел Борисович  Научный сотрудник  

Тел. (095) 246-80-39

Чулкова Галина Меркурьевна

Доцент

 

Воронов Борис Моисеевич

Ведущий научный сотрудник

 

КООПЕРАЦИИ

МПГУ

-  ИПФ РАН, Нижний Новгород
-  ИРЭ РАН, Москва
-  Чалмерский технологический университет (Гетеборг, Швеция),
    группы проф. Э.Коллберга и Д.Винклера;
-  Purple Mountain Observatory (PMO, China) профессор Ченгкай Ши  
-  Institut furSchichten und Grenzflachen, Юлих, Германия, группа
    профессора М. Зигеля
-  Парижская обсерватория, профессор Ж. Бидан
-  Смитсоновская астрономическая обсерватория Гарвардского
    университета, профессор Р. Бданделл
-  Institute of Space Sensor Technology and Planetary Exploration,
    Dr.Hubers

Разработка и исследование широкополосных малошумящих смесителей и пикосекундных детекторов из NbN и YBaCuO на эффекте электронного разогрева в резистивном состоянии сверхпроводника

 

-  Лаборатории криоэлектроники МГУ, Москва
-  Лаборатории сверхпроводимости ИФТТ РАН, Черноголовка
-  ГОСНИИФП им. Ф.В. Лукина, Москва
-  Университет Рочестера (Рочестер, США), группа
    проф. Р.Соболевского

Разработка и исследование однофотонных пикосекундных детекторов ИК излучения

 

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
И ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ АППАРАТУРА

Годы приобретения
1988г.

        Установка нанесения покрытий (Z-400) фирмы Leybold Heraus (ФРГ) используется для создания сверхтонких
        сверхпроводящих пленок методом магнетронного распыления
1989г.
        Установка очистки и деионизации воды (Milli RO-Milli Q), производство фирмы Millipore (США)
1990г.
        Установка совмещения и экспонирования (MA-56) фирмы Karl Suss (ФРГ)
обеспечивает возможность формирования
        структур микронных и субмикронных размеров
        Лабораторная установка разделения подложек на отдельные микрокристаллы методом скрайбирования (HR 100)
        фирмы Karl Suss (ФРГ)
        Профилометр-профилограф (Talystep) фирмы Taylor-Hobson (Великобритания)
- точность измерения до 10 ангстрем
        Высокоточный автоматизированный гелиевый течеискатель (HLT-150) фирмы Balzers (Швейцария)
1970-1990г.г.
        Комплекс радиоизмерительных приборов
1993г.
        Вакуумный универсальный пост ВУП-5М
1967-1999г.г.
        Установка катодного распыления (УРМ3.279.014),
модернизированная и оснащенная устройством магнетронного
        распыления

РЕЗУЛЬТАТЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ЗА ПОСЛЕДНИЕ ПЯТЬ ЛЕТ

Гольцман Г.Н., Ягубов П.А., Свечников С.И.
    Созданы волноводные и квазиоптические смесители на основе электронного разогрева из NbN в диапазоне 600, 870, 1030 и
     1260 ГГц до 5 ТГц. Исследованы характеристики HEB смесителей терагерцового диапазона.
Гольцман Г.Н., Семенов А.Д., Липатов А.П., Окунев О.В., Чулкова Г.М.
    Разработаны и получены тонкие пленки сверхпроводниковых материалов (толщиной от сотен ангстрем до нескольких периодов      решетки). На их основе созданы малошумящие смесительные приемные устройства субмиллиметрового и инфракрасного
    диапазона волн и однофотонные детекторы пикосекундного временного разрешения инфракрасной области спектра.

За последние 5 лет по результатам исследований опубликовано более 30 научных статей. В следующем ниже перечне представлена
библиография только последних по времени публикаций.

2001 -2002
1.  Infrared Physics & Technology, 2001, 42, pp. 41
2.  Physica C 2001, 351, pp. 349-356
3.  IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2001, 11, pp. 952
4.  IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2001, 11, pp. 962
5.  Applied Physics Letters, 2001, 79, pp. 705-707
6.  J. Vac. Technol. B 2001, 19, pp. 1-4
7.  IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2001, 11, pp. 574-577
8.  Physics of Vibrations, 2001, 9, pp. 205-210
9.  Technical Digest of the Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO2001, IEEE Cat. 2002, No.01CH37170, pp.345-346
10. IEICE Transactions on Electronics, 2002, E85-C, pp. 797
11. Superconductor: Scitnce and Ntcynology, 2002, 15

РАЗРАБОТКИ, ИМЕЮЩИЕ
ПРИКЛАДНОЙ ПОТЕНЦИАЛ

СВЧ ПРИБОРЫ
Малошумящие смесители на эффекте электронного разогрева из NbN в сверхпроводящем состоянии
        Диапазон частот 780-950 ГГц
        Шумовая температура не более 500 К
        Полоса преобразования 3-4 ГГц
        Потери преобразования волноводных смесителей не более 10 дБ
    Область применения - субмиллиметровая радиоастрономия, экологический мониторинг атмосферы.
ТЕХНОЛОГИИ
Разработан процесс изготовления структур субмикронных и нанометровых размеров на основе ультратонких (~3нм) пленок Nb, NbN, Ti со сверхпроводящими характеристиками близкими к их значениям в сплошной пленке:
        Толщина NbN - 2-10 нм
        Критическая температурой сверхпроводящего перехода - Tc=11-12 К
        Ширина сверхпроводящего перехода - (DELTA)Tc=0,3 К
        Плотность критического тока - Jc=107 А/см2
    Область применения - изготовление детекторов с однофотонной чувствительностью и малошумящих смесителей терагерцового
диапазона на основе ультратонких пленок NbN
ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА
Прибор для диагностики устройств микро- и наносистемной техники на основе однофотонного пикосекундного детектора ИК излучения.
        Широкий спектральный интервал от ультрафиолета до ИК диапазона
        Квантовая эффективность 10%
        Время восстановления (короче 100 пс)
        Малые флуктуации переднего фронта (jitter меньше 30 пс)
        Очень малый уровень темнового счета
    Область применения - контроль качества изготовления и диагностика работы микропроцессоров и других БИС.
Состояние разработки - изготовленный прибор является макетом тестера микросхем. Для практического применения устройство следует снабдить средствами автоматического позиционирования микросхемы и системой сбора и первичной обработки данных.